ASML, ნიდერლანდური კომპანია, წარმოადგენს თანამედროვე გამოთვლითი ტექნოლოგიების ხერხემალს, ვინაიდან სწორედ მისი დანადგარებით იქმნება მიკროჩიპები, რომლებზეც დამოკიდებულია ისეთი გიგანტები, როგორებიცაა TSMC და Intel. ASML-ის გარეშე დღევანდელი კომპიუტერული ჩიპები სრულიად განსხვავებული იქნებოდა. ახლა კომპანია აცხადებს მნიშვნელოვანი გარღვევის შესახებ EUV (ექსტრემალური ულტრაიისფერი) ლითოგრაფიის ტექნოლოგიაში, რაც უახლესი სილიკონის ჩიპების წარმოების ერთ-ერთი მთავარ შეფერხებას გადაწყვეტს – ეს ყველაფერი სინათლის წარმოების მნიშვნელოვანი გაძლიერების წყალობით ხდება. მიკროჩიპები, გამარტივებული ფორმით, იქმნება სილიკონის ფირფიტებზე შაბლონური ნიღბებით სინათლის დაპროექტებით. ქიმიკატების დამატებით მიიღება ჩიპების სასურველი ნიმუშის ამოტვიფრვა. ამ პროცესის მთავარი გამოწვევა დეტალების მაქსიმალურად მცირე და ზუსტი გახდომაა, რაც უმეტესწილად გამოყენებული "სინათლის" ტალღის სიგრძეზეა დამოკიდებული. რაც უფრო მოკლეა ტალღის სიგრძე, მით უფრო წვრილი დეტალების ამოტვიფრვაა შესაძლებელი სილიკონის ფირფიტაზე და, შესაბამისად, მეტი ფუნქციის, მაგალითად, ტრანზისტორის, განთავსება კონკრეტული ზომის ჩიპში. თუმცა, სწორედ აქ იჩენს თავს პრობლემა: საჭირო რაოდენობის და ზუსტი სინათლის შექმნა და მიმართვა საოცრად რთული ამოცანაა. ASML-ის უახლესი დანადგარები იყენებენ EUV სინათლეს, რომლის დიდი რაოდენობით წარმოებაც წარმოუდგენლად ძნელია. გარდა ამისა, ხილული სინათლისგან განსხვავებით, რომლის არეკვლაც სარკეებით შედარებით მცირე დანაკარგებითაა შესაძლებელი, EUV სინათლის მიმართვა გაცილებით რთულია, რაც წყაროს კიდევ უფრო მძლავრს ხდის. ამჟამად ASML-ის მიერ გამოყენებული გადაწყვეტა მოიცავს გამდნარი კალის მოძრავი წვეთების მრავალჯერად დასხივებას მძლავრი ლაზერებით. ეს უაღრესად რთული სისტემაა, რაც ხსნის, თუ რატომ არის ასე რთული სხვა კომპანიებისთვის ბაზარზე შესვლა და ASML-ისთვის კონკურენციის გაწევა. ახლა კი Reuters იუწყება, რომ ASML-მა გარღვევას მიაღწია EUV წარმოების ტექნოლოგიაში, რათა არსებული დანადგარების EUV გამომუშავება 600 ვატიდან სრულ 1000 ვატამდე გაზარდოს. კომპანიის გათვლებით, ეს მნიშვნელოვანი ნაბიჯი ჩიპების გამომუშავების მოცულობის დაახლოებით 50%-იან ზრდას გამოიწვევს. გაზრდილი EUV სიმძლავრე ნიშნავს, რომ სილიკონის ფირფიტების დამუშავება უფრო სწრაფად მოხდება. მართალია, ერთი ფირფიტიდან მიღებული გამოსავალი (მოქმედი ჩიპების რაოდენობა) არ გაუმჯობესდება, მაგრამ ASML-ის დანადგარებს შეეძლებათ საათში მეტი ფირფიტის წარმოება – დღევანდელი 220-დან 330-მდე. ეს კი საბოლოოდ მეტ ჩიპს ნიშნავს. გლობალურ კომპიუტერულ ინდუსტრიაში არსებული სიმძლავრეების შეზღუდვების გათვალისწინებით, ეს აშკარად ძალიან კარგი ამბავია. თუმცა, ტექნოლოგიის სრულფასოვნად ამოქმედებას დრო დასჭირდება. ASML მოელის, რომ საათში 330 ფირფიტის მიზნის მიღწევა 2030 წლისთვის იქნება შესაძლებელი. ამრიგად, მეხსიერების წარმოების მოსალოდნელი ზრდის მსგავსად, ამ ახალი ASML ტექნოლოგიის სარგებლის სრულად დანახვამდე ჯერ კიდევ წლებია დარჩენილი.